第三代SiC蕭特基二極體SCS3系列 第三代採用新結構，抗突波電流性能更優異，VF特性進一步改善

ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC蕭特基二極體（以下簡稱“SiC-SBD”）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。當前正在量產的第二代SiC-SBD實現了正向電壓（V_F＝1.35V @25℃）。而第三代SCS3系列，V_F特性得以進一步改善，而且抗突波電流性能I_FSM也進一步提高。

通過採用JBS結構，實現高I_FSM、低V_F、低I_R

作為SiC-SBD的第三代產品，SCS3系列為提高抗突波電流性能I_FSM而採用了JBS（Junction Barrier Schottky）結構。另外，第二代實現的低V_F特性得到進一步改善，損耗更低。由此提高了對裝置異常工作時等產生的突波電流的承受能力，使用時可比傳統更安心。

ROHM的第二代SiC-SBD實現了當時業界最小的正向電壓V_F＝1.35V @25℃、1.55V @150℃。此次研發的第三代在25℃時的V_F與第二代相同，均為1.35V，但150℃時的V_F則成功降低至1.44V。這使得高溫條件下的傳導損耗能夠進一步降低，從而提高效率。

一般情況下，當試圖降低正向電壓時，反向漏電流I_R會增加。第三代SiC-SBD通過採用JBS結構成功攻克了該課題，降低正向電壓的同時成功地將漏電流抑制在最低。與第二代相比，在額定電壓650V、Tj=150℃時漏電流降低至約1/15。