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BD9G341AEFJ:實現業界頂級的80V高耐壓與高效率的DC-DC轉換器研發的關鍵字為“80V高耐壓” “高效率”“高可靠性”“小型”

2018.01.29

ROHM推出內建耐壓高達80V的MOSFET的DC-DC轉換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內建功率電晶體的非隔離型DC-DC轉換IC的業界最高水平,在ROHM的DC-DC轉換器產品產品一覽中也是最高耐壓的機型。高耐壓的DC-DC轉換器在以電信相對和工業設備為首的應用中、最近在使用電池組的應用中使用量增加,因此其需求日益高漲。 然而,現狀是可供應具有60V以上耐壓的DC-DC轉換器用IC的製造商有限,而且種類也並不是很多。

BD9G341AEFJ以下面4點為關鍵字研發而成。

1.實現業界最高級別的80V高耐壓
80V高耐壓是採用ROHM擁有的業界最先進的電源系統製程0.6µm高耐壓BiCDMOS而實現的。對於基地台、電信設備及FA設備等48V系輸入電壓的Burst突波等,具有很大餘量,因此,在電源條件苛刻、要求高可用性的應用中可確保高可靠性。

2.在80V級的DC-DC轉換器中,實現業界最高效率
一般高耐壓DC-DC轉換器,因其元件特性及無法避免的高降壓比條件,而比低電壓DC-DC轉換器效率差。BD9G341AEFJ與現有的類似IC比較時,可實現最大19%、穩定狀態下1.5%的效率改善。(均以振盪頻率300kHz、輸入電壓48V、輸出電壓5V的條件確認)

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3.通過防止破壞、提高安全性的保護功能,使設備的可靠性更高
輸出短路保護搭載ROHM獨有的打嗝(hicuup)模式。現有的類似品一旦發生輸出短路,雖然保護功能會工作,但成為過熱狀態,最終導致破壞的產品不在少數。BD9G341AEFJ中搭載的保護功能,週期性進行關斷與恢復,抑制發熱的同時當故障排除時自動恢復。通過這些保護功能,可防止電源破壞,並提高應用的可靠性。

hicuup

4.通過小型包裝與削減外接元件,更節省空間並使設計簡化
內建80V高耐壓MOSFET,並整合保護功能和傳統外接的元件,實現簡單的小型8引腳HTSOP-J8(4.9 x 6.0 x 1.0mm)包裝產品供應。與類似品的比較中,類似品需要17個外接元件,而BD9G341AEFJ僅需12個。這樣可削減安裝面積,並使設計和評估更簡單。尤其是內建MOSFET使MOSFET選型和評估作業顯著削減,這一點對設計人員來說是相當大的優點。

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