第三世代SiCショットキーバリアダイオード : SCS3シリーズ第三世代は新構造によりサージ電流耐量を向上、VF特性はさらに改善

ロームのSiCショットキーバリアダイオード（以下SiC-SBD）は、先ごろ発表された「SCS3シリーズ」で第三世代となります。ロームのSiC-SBDは、世代を追うごとに順方向電圧の低減をはじめ、諸特性が改善され進化を続けています。現在量産されている第二世代SiC-SBDは、順方向電圧（V_F＝1.35V @25℃）を実現しました。そして、第三世代SCS3シリーズでは、さらにV_F特性を改善しつつ、大幅にサージ電流耐量I_FSMを向上させました。

JBS構造の採用により高I_FSM、低V_F、低I_Rを実現

SiC-SBDの第三世代となるSCS3シリーズは、サージ電流耐量I_FSMを向上させるために、JBS（Junction Barrier Schottky）構造を採用しました。また、第二世代で実現した低V_F特性をさらに改善し、損失低減を図っています。これにより、機器のイレギュラ動作時などに発生するサージ電流に対する耐量が向上し、今まで以上に安心して使うことができます。

ロームは、第二世代SiC-SBDにおいて、当時業界最小の順方向電圧V_F＝1.35V @25℃、1.55V @150℃を実現しました。今回開発した第三世代では、25℃でのV_Fは1.35Vと同じですが、150℃時のV_Fを1.44Vにまで低減することに成功しました。これにより、高温条件化において導通損失をさらに低減することが可能で、効率を向上させることができます。

一般的に、順方向電圧の低減を図ると、逆方向のリーク電流I_Rが増加してしまいます。第三世代SiC-SBDでは、JBS構造の採用によりこの課題を克服し、順方向電圧を低減しつつリーク電流を低く抑えることに成功しました。第二世代と比較して、定格電圧650V、Tj=150℃時で約1/15にリーク電流を低減しています。