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600V耐圧 第二世代スーパージャンクションMOSFET

ENシリーズ:
低オン抵抗とスイッチングスピードを
維持してノイズ性能を改善

注目ワード
  • スーパージャンクションMOSFET
  • 低ノイズ特性
  • 低オン抵抗特性
  • A・Ron

スーパージャンクションMOSFETは、プレーナーMOSFETより大幅にオン抵抗とゲート電荷(Qg)を低減したMOSFETです。ロームの600VスーパージャンクションMOSFETは、高速、低ノイズ、高効率といった特性によってシリーズ化が進み、現在、第二世代へと進化しています。電源をはじめPFCなど、様々な電力変換回路で効率の改善に寄与します。

低ノイズ ENシリーズ

従来のスーパージャンクションMOSFETは、オン抵抗が低くスイッチングスピードが速いことが特長ですが、その高速性のためにノイズが大きいという課題がありました。ENシリーズは、プレーナーMOSFETの低ノイズ特性と、SJ MOSの低オン抵抗特性を組み合わせたタイプです。ロームの第一世代標準特性のANシリーズ、および他社同等品とENシリーズのノイズ特性を比較したグラフを示します。

ENシリーズは、プレーナーMOSFETのノイズレベルをそのままに、オン抵抗がより低いことから、プレーナーMOSFETの導通損失を改善する代替品です。A・Ronの比較では、プレーナーMOSFETに対して従来品のANシリーズが65%低減、ENシリーズは80%低減されています。

以下にラインアップを示します。1つの機種に対して、複数のパッケージを用意しています。

■R60xxENxシリーズ:低ノイズ

機種名BVDSS(V)ID (A)RDS(on) (Ω)Qg (nC)パッケージ
R6002ENx6001.72.86.5CPT/TO252☆
R6004ENx40.915CPT/TO252☆/LPT/TO220FM
R6007ENx70.5720TO252/LPT/TO220FM
R6009ENx90.523TO252/LPT/TO220FM
R6011ENx110.3432TO252/LPT/TO220FM
R6015ENx150.2640LPT/TO220FM/TO3PF
R6020ENx200.1760LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6024ENx240.1570LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6030ENx300.11585LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
R6035ENx350.095110TO3PF/TO247
R6047ENx470.07145TO247
R6076ENx760.04260TO247

※機種名の最後のxはパッケージタイプにより該当のアルファベットが入ります。
   D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z : TO3PF, Z1 : TO247, D3 : TO252
※ ☆ : 開発中

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