自社製SiC-MOSFETとSiC-SBDによる「フルSiC」パワーモジュール第3世代SiC-MOSFETを採用、ラインアップを拡充

ロームは、世界に先駆けて、自社製のSiC-MOSFETとSiC-SBDを使用した「フルSiC」パワーモジュールを量産しています。従来のSi-IGBTパワーモジュールに比べて、高速スイッチングと大幅な損失低減が可能です。最新のモジュールには、第3世代SiC-MOSFETを採用し、さらなる低損失を実現しています。

第3世代SiC-MOSFETを採用し、さらに損失を低減

フルSiCパワーモジュールを構成するSiC-MOSFETは進化を続けており、次世代品の位置付けであるトレンチ構造採用した第3世代がリリースされています。これにともない、SiCモジュールにも第3世代SiC-MOSFETを使用したバージョンが開発されました。

「BSM180D12P3C007」は、第3世代SiC-MOSFETを使用したことにより、低オン抵抗化と大電流化を推進した、1200V/180A、Ron 10mΩ（typ）の、SiC-SBD内蔵タイプのフルSiCパワーモジュールです。以下は、既存品との関係を示した図です。

BSM180D12P3C007は、スイッチング損失をIGBTモジュールから大幅に削減し、既存のIGBTモジュールからも42%削減しています。これによって、アプリケーションのさらなる高効率化と小型化が望めます。

フルSiCパワーモジュールのラインアップを拡充

下の表は、現状のフルSiCパワーモジュールのラインアップです。このBSM180D12P3C007に加え、第2世代SiC-MOSFETを使用したラインアップにも新製品が追加されています。今後も、ラインアップの拡充を継続して行きます。

品名	絶対最大定格(Tj=25°C)					RDS (ON) (mΩ)	パッケ ージ	サーミ スタ	内部回路図
	VDS (V)	ID (A) (Tc= 60°C)	Tj (°C)	Tstg (°C)	Visol (V) (AC1min.)
NEW BSM080D12P2C008 (2G. DMOS)	1200	80	-40 to +175	-40 to +125	2500	34	C type	なし
BSM120D12P2C005 (2G. DMOS)		120				20
NEW BSM180D12P3C007 (3G.UMOS)		180				10
NEW BSM120C12P2C201 (2G.DMOS)		120				20
NEW BSM180D12P2E002 (2G.DMOS)		180				10	E type	あり
BSM300D12P2E001 (2G. DMOS)		300				7.3