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製品情報

ラインアップツリーや特長から、簡単に最適な電源ICや、SiおよびSiCのMOSFET、ダイオード他、関連製品にアクセスできます。

電源IC

スイッチングレギュレータ

FET内蔵タイプ(降圧タイプ/昇圧タイプ/昇降圧タイプ)、FET外付けタイプ (降圧タイプ/昇圧タイプ/昇降圧タイプ)、1chタイプ~システム電源タイプなど、豊富なDC/DCコンバータのラインアップ。CPUやFPGA用電源、携帯機器、車載、民生、産業機器などの高効率化を促進。

絶縁型電源 (AC/DC,DC/DC)

AC/DCコンバータの高効率化と小型化を実現する、FET内蔵タイプとコントローラタイプをラインアップ。軽負荷時の消費電力削減と豊富な保護回路、低ノイズ化機能を内蔵。

パワーデバイス

Siショットキーバリアダイオード

低VF、低IR、高ESD強度を合せ持ったパワーショットキーダイオードのラインアップ。電池制御、電源、EV/HVを含む車載など、低損失と高信頼性が特長。

  • ■RBxx1シリーズ(低VF)
  • ■RBEシリーズ(NEW 超低VF)
  • ■RBxx5シリーズ(低VF)
  • ■RBxx0シリーズ(低VF)
  • ■RBRシリーズ(NEW 低VF)
  • ■RBQシリーズ(NEW 低IR)
  • ■RBxx7シリーズ(NEW 低IR)
  • ■RBxx8シリーズ(NEW 超低IR)

Siファストリカバリダイオード

スイッチング電源の大幅な高効率化、低損失化に向けたファストリカバリダイオード。照明、エアコン、LCD-TV、産業モジュールなどのPFC(力率改善)アプリケーションで、DCM(連続モード)およびBCM(臨界モード)に最適な特性を実現。

  • ■RFNLシリーズ(超低VF)
  • ■RFNシリーズ(汎用標準タイプ)
  • ■RFUHシリーズ(高速trr)
  • ■RFVシリーズ(高速trr)

Si MOSFET

独自のSJ(スーパージャンクション)MOSFETにより、高速スイッチングや低オン抵抗に優れ、幅広いアプリケーションに対応するラインアップを用意。車載対応製品では、自動車向けAEC-Q101に準拠。

【標準SJ MOSFET ANシリーズ】

  • ■R50xxANx(500V)
  • ■R52xxANxシリーズ(520V)
  • ■R60xxANxシリーズ(600V)
  • ■R80xxANxシリーズ(800V)

【低ノイズSJ MOSFET ENシリーズ】

  • ■R60xxENxシリーズ(600V)
  • ■R65xxENxシリーズ(650V)

【高速SJ MOSFET KNシリーズ】

  • ■R60xxKNシリーズ(600V)

【Presto MOS/高速trr SJ MOSFET FNシリーズ】

  • ■R50xxFNxシリーズ(500V)
  • ■R60xxFNxシリーズ(600V)

【Presto MOS/高速trr 低Ron SJ MOSFET MNシリーズ】

  • ■R60xxMNxシリーズ(600V)

【Hybrid MOS GNシリーズ】

SiC ショットキーバリアダイオード

SiCは、Si半導体よりも小型化、低消費電力化、高効率化が可能なパワー素子を実現可能。スイッチングロスの低減や高温度環境下での動作特性に優れる、次世代の低損失素子。SiC ショットキーバリアダイオードは、スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能。高速スイッチング電源のPFC回路では高い実績をもつ。

SiC MOSFET

SiCは、Si半導体よりも小型化、低消費電力化、高効率化が可能なパワー素子を実現可能。スイッチングロスの低減や高温度環境下での動作特性に優れる次世代の低損失素子。SiC MOSFETは、スイッチング動作時のテイル電流が原理的にないため、高速で動作しスイッチング損失の低減が可能。小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できので、低容量、低ゲートチャージを実現。

SiC パワーモジュール

SiCは、Si半導体よりも小型化、低消費電力化、高効率化が可能なパワー素子を実現可能。スイッチングロスの低減や高温度環境下での動作特性に優れる次世代の低損失素子。SiCパワーモジュールは、IGBTモジュールに対して大幅に損失を低減することが可能。スイッチング損失が少なく、高いスイッチング周波数下では特に有利。

 

SiC ショットキーバリアダイオード Bare Die

SiC ショットキーバリアダイオードは、スイッチング損失を低減でき、高速スイッチングが可能。高速スイッチング電源のPFC回路では高い実績をもつ。

 

SiC MOSFET Bare Die

SiC MOSFETは、スイッチング動作時のテイル電流が原理的にないため、高速で動作しスイッチング損失の低減が可能。小さなチップサイズで低オン抵抗を達成できので、低容量、低ゲートチャージを実現。

IGBT:Field Stop Trench IGBT

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化アプリケーションに有用。独自のトレンチゲート、薄ウェハ技術により低VCE(sat)、低スイッチング損失を実現。

IGBT:Ignition IGBT

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化アプリケーションに有用。低VCE(sat)、高アバランシェ耐性を両立させた、車載イグニッション用途に最適な高信頼性が特長。

IGBT-IPM

IGBT-IPM(Intelligent Power Module)は、IGBTと最適な駆動回路、保護機能を1パッケージ化したモジュール。機器の高効率化、設計簡略化が可能。アプリケーションのスイッチング周波数により最適な製品を選択可能。

MOS-IPM

MOS-IPM(Intelligent Power Module)は、独自のPrestoMOSを使用した高効率モジュール製品。IGBT製品と比較し、エアコンアプリケーションでの定常運転時の損失を大幅に低減可能。