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第三世代SiCショットキーバリアダイオード:SCS3シリーズ

第三世代は新構造によりサージ電流耐量を
向上、VF特性はさらに改善

注目ワード
  • 第三世代SCS3シリーズ
  • サージ電流耐量
  • IFSM
  • JBS(Junction Barrier Schottky)構造
  • 順方向電圧
  • VF
  • 導通損失
  • リーク電流
  • IR
  • 1/15にリーク電流を低減

ロームのSiCショットキーバリアダイオード(以下SiC-SBD)は、先ごろ発表された「SCS3シリーズ」で第三世代となります。ロームのSiC-SBDは、世代を追うごとに順方向電圧の低減をはじめ、諸特性が改善され進化を続けています。現在量産されている第二世代SiC-SBDは、順方向電圧(VF=1.35V @25℃)を実現しました。そして、第三世代SCS3シリーズでは、さらにVF特性を改善しつつ、大幅にサージ電流耐量IFSMを向上させました。

JBS構造の採用により高IFSM、低VF、低IRを実現

SiC-SBDの第三世代となるSCS3シリーズは、サージ電流耐量IFSMを向上させるために、JBS(Junction Barrier Schottky)構造を採用しました。また、第二世代で実現した低VF特性をさらに改善し、損失低減を図っています。これにより、機器のイレギュラ動作時などに発生するサージ電流に対する耐量が向上し、今まで以上に安心して使うことができます。

ロームは、第二世代SiC-SBDにおいて、当時業界最小の順方向電圧VF=1.35V @25℃、1.55V @150℃を実現しました。今回開発した第三世代では、25℃でのVFは1.35Vと同じですが、150℃時のVFを1.44Vにまで低減することに成功しました。これにより、高温条件化において導通損失をさらに低減することが可能で、効率を向上させることができます。

一般的に、順方向電圧の低減を図ると、逆方向のリーク電流IRが増加してしまいます。第三世代SiC-SBDでは、JBS構造の採用によりこの課題を克服し、順方向電圧を低減しつつリーク電流を低く抑えることに成功しました。第二世代と比較して、定格電圧650V、Tj=150℃時で約1/15にリーク電流を低減しています。

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