SiCパワーデバイス｜基礎編
サポートツール： フルSiCモジュール損失シミュレータ
2018.04.24
この記事のポイント
・フルSiCモジュール損失シミュレータをはじめにしたサポートツールが用意されている。
・サポートツールは、フルSiCモジュールの選択や初期的な検討に有用。
今回は、フルSiCモジュールを使った設計や評価のサポートツールを紹介します。
フルSiCモジュール損失シミュレータ
フルSiCモジュールの検討や選択に利用できる、損失シミュレータが無償提供されています。フルSiCモジュールを選択して入力条件を設定するだけで、モジュール内部のトランジスタとダイオードの損失や温度がシミュレーションできます。
これは、入力画面の例です。
GはPower Factor（力率）、Hは変調比、Kはヒートシンク温度で、他は記載の通りです。続いて、出力画面です。
Aにはモジュール内部のトランジスタごとの損失P-Tr、P-Trの内訳のSW損失とDC損失、そして、SW損失の内訳のSW(on)とSW(off)の損失が示されます。また、同時にΔTj-c(Ave)、接合部温度とケース温度の差、Tj(Ave)、接合部温度も計算されます。Bは同様にダイオードのシミュレーション結果が示されます。Cは、モジュール全体の損失になります。これを、CSV形式で保存することが可能です。
フルSiCモジュール損失シミュレータは、こちらからダウンロードできます。
その他のサポートツール
他にも関連するサポートツールがありますので、詳細はリンクを利用願います。
【資料ダウンロード】SiCパワーデバイスの基礎
SiCの物性やメリット、SiCショットキーバリアダイオードとSiC MOSFETのSiデバイスとの比較を交え特徴や使い方の違いなどを解説しており、さまざまなメリットを持つフルSiCモジュールの解説も含まれています。
