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SiCパワーデバイスの基礎
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SiCパワーデバイスの開発背景とメリット
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フルSiCパワーモジュールのスイッチング損失
活用のポイント:ゲートドライブ その1
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サポートツール: フルSiCモジュール損失シミュレータ
SiCパワーデバイスの基礎 -まとめ-
応用編
SiC MOSFET : ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動
SiC MOSFETのブリッジ構成
SiC MOSFETのゲート駆動回路とターンオン・ターンオフ動作
ブリッジ回路のスイッチングにより発生する電流と電圧
ローサイドスイッチターンオン時のゲート-ソース間電圧の挙動
ローサイドスイッチターンオフ時のゲート-ソース間電圧の挙動
SiC MOSFET : ブリッジ構成におけるゲート-ソース間電圧の挙動 ーまとめー
SiC MOSFET:スイッチング波形から損失を求める方法 ーはじめにー
SiC MOSFET:スイッチング波形の測定方法
SiC MOSFET:波形の直線近似分割による損失計算方法
SiC MOSFET:計測波形からの電力損失算出例
SiC MOSFET:波形ごとのスイッチング損失計算例
SiC MOSFET:波形ごとのスイッチング損失計算例:ケース1:I
D
上昇、V
DS
上昇波形時(付録A)
SiC MOSFET:波形ごとのスイッチング損失計算例:ケース2:I
D
上昇、V
DS
一定波形時(付録B)
SiC MOSFET:波形ごとのスイッチング損失計算例:ケース3:I
D
上昇、V
DS
降下波形時(付録C)
SiC MOSFET:波形ごとのスイッチング損失計算例:ケース4:I
D
一定、V
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上昇波形時(付録D)
SiC MOSFET:波形ごとのスイッチング損失計算例:ケース5:I
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一定、V
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一定(付録E)
SiC MOSFET:波形ごとのスイッチング損失計算例:ケース6:I
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一定、V
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SiC MOSFET:波形ごとのスイッチング損失計算例:ケース7:I
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降下、V
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上昇波形時(付録G)
SiC MOSFET:波形ごとのスイッチング損失計算例:ケース8:I
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降下、V
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一定波形時(付録H)
SiC MOSFET:波形ごとのスイッチング損失計算例:ケース9:I
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降下波形時(付録I)
SiC MOSFET:波形ごとの導通損失計算例
SiC MOSFET:波形ごとの導通損失計算例:ケース1:I
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上昇波形時(付録J)
SiC MOSFET:波形ごとの導通損失計算例:ケース2:I
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一定波形時(付録K)
SiC MOSFET:波形ごとの導通損失計算例:ケース3:I
D
降下波形時(付録L)
SiC MOSFET:スイッチング波形から損失を求める方法 -まとめー
SiC MOSFET:スナバ回路の設計方法 ーはじめにー
ドレイン-ソース間に発生するサージ
スナバ回路の種類と選定
Cスナバ回路の設計
RCスナバ回路の設計
放電型RCDスナバ回路の設計
非放電型RCDスナバ回路の設計
パッケージによるサージ発生の違い
SiC MOSFET:スナバ回路の設計方法 -まとめ-
SiC MOSFET:ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
ゲート-ソース電圧に発生するサージとは
サージ抑制回路
正電圧サージ対策
負電圧サージ対策
サージ抑制回路の基板レイアウトに関する注意点
SiC MOSFET : ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法 ーまとめー
ドライバーソース端子によるスイッチング損失の改善
従来MOSFETの駆動方法
ドライバーソース端子を備えたパッケージ
ドライバーソース端子の有無による違いと効果
ドライバーソース端子の効果:ダブルパルス試験による比較
ブリッジ構成時のゲートーソース間電圧の振る舞い:ターンオン時
ブリッジ構成時のゲートーソース間電圧の振る舞い:ターンオフ時
基板配線レイアウトに関する注意事項
SiC MOSFETゲート-ソース間電圧測定時の注意点:一般的な測定方法
プローブの取り付け方
測定箇所の選定
プローブヘッド部の設置場所
ブリッジ構成における注意点-プローブのCMRR
SiC MOSFETゲート-ソース間電圧測定 -まとめ-
最新世代SiC MOSFETを使った損失低減の実証 ーはじめにー
EVアプリケーションにおける第4世代SiC MOSFETの使用効果:Totem-pole PFCの実機評価
最新世代SiC MOSFETを使った損失低減の実証 -まとめ-
第4世代SiC MOSFETの特長
降圧型DC-DCコンバータにおける第4世代SiC MOSFETの使用効果
回路動作原理と損失解析
DC-DCコンバータの実機検証
EVアプリケーションにおける第4世代SiC MOSFETの使用効果
EVアプリケーションにおける第4世代SiC MOSFETの使用効果:EVアプリケーション
EVアプリケーションにおける第4世代SiC MOSFETの使用効果:トラクションインバータでの模擬走行試験
製品紹介
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SiC MOSFET
SiC パワーモジュール
SiC ショットキーバリアダイオード Bare Die
SiC MOSFET Bare Die
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SiCパワーデバイスのよくあるご質問
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SiC MOSFET:スイッチング波形から損失を求める方法 -まとめー
2022/12/27
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SiC MOSFET:波形ごとの導通損失計算例:ケース3:I
D
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2022/11/29
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