主要部品選定：MOSFET Q1

トランス設計が終わったので、電源ICのBD7682FJ-LBの周辺部品を中心とした部品選定に入ります。説明する部品の周辺回路を抜粋して提示しますが、回路全体をみることも必要なので、その際にはこちらを利用してください。

主要部品選定：MOSFET Q1

MOSFET Q1は、トランスの1次側をドライブするトランジスタで、この設計のテーマの1つである「SiC-MOSFET」になります。

MOSFETの選定には、最大ドレイン－ソース間電圧、ピーク電流、オン抵抗Ronによる損失、パッケージの最大許容損失などを考慮します。

低入力電圧時にMOSFETのオン時間が長くなり、Ron損失による発熱が大きくなります。SiC-MOSFETはRonが低いことが特徴で、この導通損失も小さいのですが、必ず実装基板および製品に組み込んだ状態で確認を行い、必要に応じてヒートシンク等による放熱を行ってください。

I_Dの定格はIppk×2程度を目安として選定します。Ippkは、トランス設計の②で0.66Aを求めてあります。

Vdsは、以下の式で計算します。

Vspikeは、計算での算出は困難です。したがって、経験則からスナバ回路の追加を前提にVdsが1700VのMOSFET選択します。この設計例では、ROHM製SiC-MOSFETのSCT2H12NY（1700V、1.15Ω、4A、44W）もしくはSCT2H12NZ（1700V、1.15Ω、3.7A、35W）を選択します。

以下に、例としてSCT2H12NYの最大定格を示します。他のパラメータおよび他の詳細は各データシートを参照してください。